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    深圳導電硅膠訊:碳硅烯狄拉克錐成因獲解 開發納米電子器件材料有更多選擇

    發布時間:[2015-4-22]  查看次數:665

    深圳導電硅膠訊:碳硅烯狄拉克錐成因獲解 開發納米電子器件材料有更多選擇 

       二維單原子碳層-石墨烯(Graphene)具有獨特的電子結構特征,其能帶在費米能級處呈現上下對頂的圓錐形,形成所謂的狄拉克錐(Dirac Cone)。近日,上海大學理學院物理系劉軼教授及其科研團隊通過理論計算首次發現,兩種新型結構的碳硅烯也具有狄拉克錐特征的電子結構,這為研發和設計新型納米電子器件材料提供了理論基礎。該研究成果發表在物理化學領域著名學術期刊《物理化學快報》上。
      2010年石墨烯的發現被授予諾貝爾獎,除了因為它是第一個穩定存在的單層二維材料,從而打破了傳統二維材料不穩定的常識之外,還因為石墨烯存在奇異的狄拉克錐電子結構,電子在費米能鄰近以近光速傳播,被認為是將來電腦芯片的理想材料。為此,人們對基于石墨烯的新興電子材料寄予厚望。
      然而,目前的電子工業還是建立在硅材料基礎上。雖然硅版的石墨烯—硅烯也具有狄拉克錐,可是硅烯的原子結構非平面,硅烯穩定性相對石墨烯低許多,這使劉軼對碳硅混合的二維體系——碳硅烯產生了興趣。劉軼團隊發現的新型碳硅烯的一起結構特點是由C-C和Si-Si原子對混合而成,呈現狄拉克錐電子結構特征;同時他們還提出了“原子對耦合”機制以及判斷狄拉克錐是否形成的定量判據;趯唵误w系的計算,該判據還被成功用于猜測其他二元二維體系是否具有狄拉克錐。
      劉軼介紹,新發現證實,能夠通過改變碳硅烯的成分配比和原子排列等方式對電學性質進行調控,這是單純的石墨烯或硅烯不能實現的,因此碳硅烯比石墨烯有更好的工業相容性和性質多樣性,為開發將來納米電子器件材料提供了更廣闊的材料選擇。
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